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元件参数资料
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参数目录40149
> IXTA06N120P MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
型号:
IXTA06N120P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTA06N120P PDF
标准包装
50
系列
PolarVHV™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
600mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
32 毫欧 @ 300mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
270pF @ 25V
功率 - 最大
42W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263
包装
管件
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